特性：
·集成低RDS(on) 功率 MOSFET 
·宽输入范围: 4.2V-21.0V, 支持1-4芯电池充电
·全充电电压可以通过外部电阻器进行编程 
·率
JW3655E芯片是一种高速光通信芯片，由美国的光通信芯片设计公司JW化学公司开发。它采用了的SiGe BiCMOS工艺，具有高速、低功耗、低噪声和高灵敏度等特点，可以用于光纤通信、数据中心、云计算、卫星通信和无线通信等领域。

JW3655E芯片还具有自适应等化器和前向纠错等功能，可以提高数据传输的可靠性和稳定性。该芯片已经广泛应用于光通信市场，并受到了客户的高度评价。

JW3655E芯片的使用可以提高光通信系统的性能和可靠性，降和功耗，从而推动光通信技术的发展。

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